ตัวกรอง
ตัวกรอง
IGBT
| ภาพ | ส่วนหนึ่ง # | คําอธิบาย | ผู้ผลิต | สต็อค | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
APT100GF60JU2 |
IGBT MOD 600V 120A 416W SOT227
|
เทคโนโลยีไมโครชิป
|
|
|
|
|
|
FS200R07PE4BOSA1 |
IGBT MOD 650V 200A 600W
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
DF1000R17IE4DB2BOSA1 |
ไอจีบีทีโมดูล 1700V 6250W
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
FF450R12ME4B11BPSA2 |
พลังงานปานกลาง ECONO AG-ECONOD-411
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
FD400R12KE3B5HOSA1 |
IGBT MOD 1200V 580A 2000W
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
FF600R12KE4PBOSA1 |
โมดูล IGBT 1200V
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
MG12450WB-BN2MM |
IGBT MODULE 1200V 600A 1950W WB
|
ลิตเทลฟิวส์อินค
|
|
|
|
|
|
FZ2400R17HP4HOSA2 |
โมดูล IGBT 1700V 400A
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
FS500R17OE4DPBOSA1 |
IGBT MOD 1700V 1000A 20MW
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
MG35P12E1A |
ทรานซิสเตอร์ - IGBT - โมดูล E1
|
เทคโนโลยี Yangjie
|
|
|
|
|
|
FS450R17KE3BOSA1 |
IGBT MOD 1700V 605A 2250W
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
FF1200R12IE5PBPSA1 |
IGBT MOD 1200V 2400A 20MW
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
F3L400R10W3S7B11BPSA1 |
โมดูล IGBT พลังงานต่ำง่าย
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
FP50R12KT4PB11BPSA1 |
MOD IGBT PWR ต่ำ ECONO2-4
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
APTGT450A60G |
โมดูล IGBT 600V 550A 1750W SP6
|
เทคโนโลยีไมโครชิป
|
|
|
|
|
|
FS225R17OE4BOSA1 |
IGBT MOD 1700V 350A 1450W
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
FP150R12KT4PBPSA1 |
โมดูล IGBT 1200V 150A
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
FD800R17HP4KB2BOSA2 |
IGBT MOD 1700V 800A 5200W
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
FF150R12MS4GBOSA1 |
IGBT MOD 1200V 225A 1250W
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
FS225R12KE4BOSA1 |
IGBT MOD 1200V 320A 1100W
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
APT100GT120JU3 |
IGBT MOD 1200V 140A 480W SOT227
|
เทคโนโลยีไมโครชิป
|
|
|
|
|
|
FP40R12KE3BOSA1 |
IGBT MOD 1200V 55A 210W
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
FF300R17ME4PBPSA1 |
IGBT MOD 1700V 600A 20MW
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
DF200R12PT4B6BOSA1 |
IGBT MOD 1200V 300A 1100W
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
FZ2400R12HP4HOSA2 |
โมดูล IGBT 1200V 3460A
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
FMG1G100US60H |
IGBT MODULE 600V 100A 400W 7PMGA
|
ออนเซมิ
|
|
|
|
|
|
VS-GT55NA120UX |
SOT-227 - IGBT ชอปเปอร์ด้านสูง
|
Vishay General Semiconductor - ดิโอเดส ดิวิชั่น
|
|
|
|
|
|
CM600HU-24F |
IGBT MOD 1200V 600A 2400W
|
พาวเวอร์เอ็กซ์ อิงค์
|
|
|
|
|
|
MG300HF12TLC2 |
ทรานซิสเตอร์ - IGBT - โมดูล C2
|
เทคโนโลยี Yangjie
|
|
|
|
|
|
FS150R12PT4BOSA1 |
IGBT MOD 1200V 200A 680W
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
APTGT75TA120PG |
โมดูล IGBT 1200V 100A 350W SP6P
|
เทคโนโลยีไมโครชิป
|
|
|
|
|
|
FP75R12KT4PB11BPSA1 |
IGBT MOD 1200V 150A 20MW
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
FP7G50US60 |
โมดูล IGBT 600V 50A 250W EPM7
|
ออนเซมิ
|
|
|
|
|
|
FZ900R12KP4HOSA1 |
โมดูล IGBT 1200V 900A
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
APT50GF120JRD |
IGBT NPT COMBI 1200V 50A ไอโซโทป
|
เทคโนโลยีไมโครชิป
|
|
|
|
|
|
FF300R17ME4B11BOSA1 |
IGBT MOD 1700V 375A 1800W
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
FS25R12KT3BOSA1 |
IGBT MOD 1200V 40A 145W
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
STGE200N60K |
IGBT MODULE 600V 150A ไอโซโทป
|
STMicroelectronics เครื่องอิเล็กทรอนิกส์
|
|
|
|
|
|
VS-CPV362M4UPBF |
IGBT MODULE 600V 7.2A 23W IMS-2
|
Vishay General Semiconductor - ดิโอเดส ดิวิชั่น
|
|
|
|
|
|
BSM200GB60DLCHOSA1 |
IGBT MOD 600V 230A 730W
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
FP15R12W1T7PB11BPSA1 |
พลังงานต่ำ ง่าย AG-EASY1B-2
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
FF1200R17KE3NOSA1 |
โมดูล IGBT VCES 1700V 1200A
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
FF150R12KT3GHOSA1 |
IGBT MOD 1200V 225A 780W
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
2LS20017E42W36702NOSA1 |
โมดูล IGBT 1700V 20A
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
APT100GT120JR |
IGBT MOD 1200V 123A 570W ไอโซโทป
|
เทคโนโลยีไมโครชิป
|
|
|
|
|
|
FS100R17N3E4BOSA1 |
IGBT MOD 1700V 100A 600W
|
อินฟินไอน เทคโนโลยี
|
|
|
|
|
|
MG10P12P2 |
ทรานซิสเตอร์ - IGBT - โมดูล P2
|
เทคโนโลยี Yangjie
|
|
|
|
|
|
รายละเอียดการตรวจสอบ |
โมดูล IGBT 1200V 75A 270W SP3
|
บริษัทไมโครเซมี
|
|
|
|
|
|
APT50GR120JD30 |
IGBT MOD 1200V 84A 417W SOT227
|
เทคโนโลยีไมโครชิป
|
|
|
|
|
|
APT50GP60JDQ2 |
IGBT MOD 600V 100A 329W ไอโซโทป
|
เทคโนโลยีไมโครชิป
|
|
|