FP7G50US60
ผู้ผลิต:
ออนเซมิ
คําอธิบาย:
โมดูล IGBT 600V 50A 250W EPM7
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน
รายละเอียด
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
50 อ
สถานะสินค้า:
ปราศการ
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
แพ็คเกจ:
ท่อ
ชุด:
พาวเวอร์-SPM™
กล่อง / กระเป๋า:
อีพีเอ็ม7
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
2.8V @ 15V, 50A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
600 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
อีพีเอ็ม7
Mfr:
ออนเซมิ
อุณหภูมิการทํางาน:
-40°C ~ 125°C (TJ)
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
250 µA
ประเภท IGBT:
-
กำลัง - สูงสุด:
250 วัตต์
หน่วยงาน:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
2.92nF @ 30 โวลต์
การตั้งค่า:
ฮาล์ฟบริดจ์
กทช เทอร์มิสเตอร์:
ไม่
เลขสินค้าพื้นฐาน:
FP7G50
คําแนะนํา
โมดูล IGBT ครึ่งสะพาน 600 V 50 A 250 W ชาซีมอนท์ EPM7
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: