BSM200GB60DLCHOSA1
ผู้ผลิต:
อินฟินไอน เทคโนโลยี
คําอธิบาย:
IGBT MOD 600V 230A 730W
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน
รายละเอียด
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
230 ก
สถานะสินค้า:
ปราศการ
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
แพ็คเกจ:
ขนาดใหญ่
ชุด:
-
กล่อง / กระเป๋า:
โมดูล
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
2.45V @ 15V, 200A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
600 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
โมดูล
Mfr:
อินฟินไอน เทคโนโลยี
อุณหภูมิการทํางาน:
-40 °C ~ 125 °C
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
500 µA
ประเภท IGBT:
-
กำลัง - สูงสุด:
730 วัตต์
หน่วยงาน:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
9 nF @ 25 โวลต์
การตั้งค่า:
เดี่ยว
กทช เทอร์มิสเตอร์:
ไม่
เลขสินค้าพื้นฐาน:
บีเอสเอ็ม200
คําแนะนํา
โมดูล IGBT ตัวเดียว 600 V 230 A 730 W โมดูลติดชัสซี่
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: