2LS20017E42W36702NOSA1
รายละเอียด
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
2500 ก
สถานะสินค้า:
ปราศการ
ประเภทการติดตั้ง:
การติดตั้งพื้นผิว
แพ็คเกจ:
ขนาดใหญ่
ชุด:
ModSTACK™
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
-
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
1700 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
-
Mfr:
อินฟินไอน เทคโนโลยี
ประเภท IGBT:
-
กล่อง / กระเป๋า:
โมดูล
หน่วยงาน:
มาตรฐาน
อุณหภูมิการทํางาน:
150°C (ทีเจ)
การตั้งค่า:
ฟูลบริดจ์อินเวอร์เตอร์
กทช เทอร์มิสเตอร์:
ใช่
เลขสินค้าพื้นฐาน:
2LS20017
คําแนะนํา
โมดูล IGBT อินเวอร์เตอร์สะพานเต็ม 1700 V 2500 A การติดตั้งพื้นผิว
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: