APT100GT120JR
ผู้ผลิต:
เทคโนโลยีไมโครชิป
คําอธิบาย:
IGBT MOD 1200V 123A 570W ไอโซโทป
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน
รายละเอียด
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
123 อ
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
แพ็คเกจ:
ท่อ
ชุด:
สายฟ้า IGBT®
กล่อง / กระเป๋า:
SOT-227-4 มินิบล็อก
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
3.7V @ 15V, 100A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
1200 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
ไอโซโทป®
Mfr:
เทคโนโลยีไมโครชิป
อุณหภูมิการทํางาน:
-55°C ~ 150°C (TJ)
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
100 µA
ประเภท IGBT:
สพป
กำลัง - สูงสุด:
570 วัตต์
หน่วยงาน:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
6.7 nF @ 25 โวลต์
การตั้งค่า:
เดี่ยว
กทช เทอร์มิสเตอร์:
ไม่
เลขสินค้าพื้นฐาน:
เอพีที100
คําแนะนํา
โมดูล IGBT NPT ตัวเดียว 1200 V 123 A 570 W หมุนรถ ISOTOP®
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: