APT50GP60JDQ2
ผู้ผลิต:
เทคโนโลยีไมโครชิป
คําอธิบาย:
IGBT MOD 600V 100A 329W ไอโซโทป
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน
รายละเอียด
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
100 ก
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
แพ็คเกจ:
ท่อ
ชุด:
พาวเวอร์ MOS 7®
กล่อง / กระเป๋า:
SOT-227-4 มินิบล็อก
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
2.7V @ 15V, 50A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
600 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
ไอโซโทป®
Mfr:
เทคโนโลยีไมโครชิป
อุณหภูมิการทํางาน:
-55°C ~ 150°C (TJ)
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
525 ไมโครเอ
ประเภท IGBT:
พี.ที
กำลัง - สูงสุด:
329 วัตต์
หน่วยงาน:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
5.7 nF @ 25 โวลต์
การตั้งค่า:
เดี่ยว
กทช เทอร์มิสเตอร์:
ไม่
เลขสินค้าพื้นฐาน:
APT50GP60
คําแนะนํา
โมดูล IGBT PT Single 600 V 100 A 329 W ชาซิมอนท์ ISOTOP®
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: