APTGT75TA120PG
ผู้ผลิต:
เทคโนโลยีไมโครชิป
คําอธิบาย:
โมดูล IGBT 1200V 100A 350W SP6P
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน
รายละเอียด
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
100 ก
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
แพ็คเกจ:
ขนาดใหญ่
ชุด:
-
กล่อง / กระเป๋า:
SP6
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
2.1V @ 15V, 75A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
1200 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
SP6-P
Mfr:
เทคโนโลยีไมโครชิป
อุณหภูมิการทํางาน:
-40°C ~ 150°C (TJ)
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
250 µA
ประเภท IGBT:
สนามเพลาะหยุด
กำลัง - สูงสุด:
350 วัตต์
หน่วยงาน:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
5.34nF @ 25 โวลต์
การตั้งค่า:
สามเฟส
กทช เทอร์มิสเตอร์:
ไม่
เลขสินค้าพื้นฐาน:
APTGT75
คําแนะนํา
โมดูล IGBT ช่องขวาง สต็อปสนาม 3 ขั้นตอน 1200 V 100 A 350 W ชาซีมอนท์ SP6-P
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: