ส่งข้อความ
บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน
ตัวกรอง
ตัวกรอง

ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน

ภาพส่วนหนึ่ง #คําอธิบายผู้ผลิตสต็อคRFQ
APT50GF60JU3

APT50GF60JU3

โมดูล IGBT 600V 75A 277W SOT227
บริษัทไมโครเซมี
FF450R17ME4B11BOSA1

FF450R17ME4B11BOSA1

IGBT MOD 1700V 600A 2500W
อินฟินไอน เทคโนโลยี
FS50R07U1E4BPSA1

FS50R07U1E4BPSA1

IGBT MODULE 650V 75A 230W
อินฟินไอน เทคโนโลยี
APTGF300DA120G

APTGF300DA120G

โมดูล IGBT 1200V 400A 1780W SP6
บริษัทไมโครเซมี
MG75U12MRGJ

MG75U12MRGJ

ทรานซิสเตอร์ - IGBT - โมดูล GJ
เทคโนโลยี Yangjie
FZ1600R17HP4B21BOSA2

FZ1600R17HP4B21BOSA2

โมดูล IGBT 1700V 1600A
อินฟินไอน เทคโนโลยี
VS-GA200SA60UP

VS-GA200SA60UP

IGBT MOD 600V 200A 500W SOT227
Vishay General Semiconductor - ดิโอเดส ดิวิชั่น
FP40R12KT3BOSA1

FP40R12KT3BOSA1

IGBT MOD 1200V 55A 210W
อินฟินไอน เทคโนโลยี
MG100HF12LEC1

MG100HF12LEC1

ทรานซิสเตอร์ - IGBT - โมดูล C1
เทคโนโลยี Yangjie
FP200R12N3T7B11BPSA1

FP200R12N3T7B11BPSA1

ประหยัดพลังงาน
อินฟินไอน เทคโนโลยี
F4100R17N3E4BPSA1

F4100R17N3E4BPSA1

ประหยัดพลังงาน
อินฟินไอน เทคโนโลยี
FZ1800R45HL4BPSA1

FZ1800R45HL4BPSA1

IHV IHM T XHP 3 3-6 5K AG-IHVB19
อินฟินไอน เทคโนโลยี
FS660R08A6P2FBBPSA1

FS660R08A6P2FBBPSA1

ไดรฟ์แพ็คไฮบริด
อินฟินไอน เทคโนโลยี
FS35R12KT3BOSA1

FS35R12KT3BOSA1

IGBT MOD 1200V 55A 210W
อินฟินไอน เทคโนโลยี
VS-GT80DA120U

VS-GT80DA120U

IGBT MOD 1200V 139A 658W SOT227
Vishay General Semiconductor - ดิโอเดส ดิวิชั่น
IFF450B12ME4PB11BPSA1

IFF450B12ME4PB11BPSA1

ไอจีบีที MOD 1200V 450A 40W
อินฟินไอน เทคโนโลยี
6PS04512E43W39693NOSA1

6PS04512E43W39693NOSA1

โมดูล IGBT 500V 300A
อินฟินไอน เทคโนโลยี
FS450R12OE4B81BPSA1

FS450R12OE4B81BPSA1

ประหยัดพลังงานปานกลาง
อินฟินไอน เทคโนโลยี
FF1500R12IE5PBPSA1

FF1500R12IE5PBPSA1

IGBT MOD 1200V 1500A AGPRIME3+-5
อินฟินไอน เทคโนโลยี
FP75R12N2T7PB11BPSA1

FP75R12N2T7PB11BPSA1

ประหยัดพลังงาน
อินฟินไอน เทคโนโลยี
FF100R12KS4HOSA1

FF100R12KS4HOSA1

IGBT MOD 1200V 150A 780W
อินฟินไอน เทคโนโลยี
MG1275S-BA1MM

MG1275S-BA1MM

โมดูล IGBT 1200V 105A 630W S3
ลิตเทลฟิวส์อินค
FB30R06W1E3BOMA1

FB30R06W1E3BOMA1

IGBT MODULE 600V 39A 115W
อินฟินไอน เทคโนโลยี
FF150R12KS4HOSA1

FF150R12KS4HOSA1

IGBT MOD 1200V 225A 1250W
อินฟินไอน เทคโนโลยี
FD16001200R17HP4B2BOSA2

FD16001200R17HP4B2BOSA2

โมดูล IGBT VCES 1700V 1600A
อินฟินไอน เทคโนโลยี
APTGL240TL120G

APTGL240TL120G

โมดูล IGBT 1200V 305A 1000W SP6
เทคโนโลยีไมโครชิป
DF300R12KE3HOSA1

DF300R12KE3HOSA1

IGBT MOD 1200V 480A 1470W
อินฟินไอน เทคโนโลยี
NXH350N100H4Q2F2S1G

NXH350N100H4Q2F2S1G

ไอซี PWR MODULE 1000V 350A PIM42
ออนเซมิ
FZ1200R12HE4PHPSA1

FZ1200R12HE4PHPSA1

โมดูล IGBT 1200V 1825A
อินฟินไอน เทคโนโลยี
VS-ENQ030L120S

VS-ENQ030L120S

IGBT MOD 1200V 61A EMIPAK-1B
Vishay General Semiconductor - ดิโอเดส ดิวิชั่น
APT40GF120JRDQ2

APT40GF120JRDQ2

IGBT MOD 1200V 77A 347W ไอโซโทป
เทคโนโลยีไมโครชิป
APTGF300A120D3G

APTGF300A120D3G

โมดูล IGBT 1200V 420A 2100W D3
บริษัทไมโครเซมี
MG150HF12LEC2

MG150HF12LEC2

ทรานซิสเตอร์ - IGBT - โมดูล C2
เทคโนโลยี Yangjie
APT25GF120JCU2

APT25GF120JCU2

IGBT MOD 1200V 45A 227W SOT227
บริษัทไมโครเซมี
FS100R07N2E4B11BOSA1

FS100R07N2E4B11BOSA1

IGBT MOD 650V 125A 20MW
อินฟินไอน เทคโนโลยี
DDB6U134N16RRBOSA1

DDB6U134N16RRBOSA1

IGBT MOD 1600V 70A 500W
อินฟินไอน เทคโนโลยี
APT100GT120JU2

APT100GT120JU2

IGBT MOD 1200V 140A 480W SOT227
เทคโนโลยีไมโครชิป
APT40GP90J

APT40GP90J

IGBT MODULE 900V 68A 284W ไอโซโทป
เทคโนโลยีไมโครชิป
FP150R07N3E4B11BOSA1

FP150R07N3E4B11BOSA1

IGBT MOD 650V 150A 430W
อินฟินไอน เทคโนโลยี
FD150R12RT4HOSA1

FD150R12RT4HOSA1

IGBT MOD 1200V 150A 790W
อินฟินไอน เทคโนโลยี
F3L75R12W1H3B11BPSA1

F3L75R12W1H3B11BPSA1

IGBT MOD 1200V 45A 275W
อินฟินไอน เทคโนโลยี
FZ3600R17HE4PHPSA1

FZ3600R17HE4PHPSA1

โมดูล IGBT 1700V 7200A
อินฟินไอน เทคโนโลยี
APTGT300DU170G

APTGT300DU170G

โมดูล IGBT 1700V 400A 1660W SP6
เทคโนโลยีไมโครชิป
APTGT50H60RT3G

APTGT50H60RT3G

โมดูล IGBT 600V 80A 176W SP3
เทคโนโลยีไมโครชิป
CM200DY-12H

CM200DY-12H

IGBT MOD 600V 200A 780W
พาวเวอร์เอ็กซ์ อิงค์
FS450R17OE4PBOSA1

FS450R17OE4PBOSA1

IGBT MOD 1700V 900A 20MW
อินฟินไอน เทคโนโลยี
CM300DY-12H

CM300DY-12H

IGBT MOD 600V 300A 1100W
พาวเวอร์เอ็กซ์ อิงค์
APTGF25H120T1G

APTGF25H120T1G

โมดูล IGBT 1200V 40A 208W SP1
เทคโนโลยีไมโครชิป
VS-GT200TS065N

VS-GT200TS065N

โมดูล IGBT - IAP IGBT
Vishay General Semiconductor - ดิโอเดส ดิวิชั่น
FMG1G75US60H

FMG1G75US60H

IGBT MODULE 600V 75A 310W 7PMGA
ออนเซมิ
30 31 32 33 34