DDB6U134N16RRBOSA1
รายละเอียด
				
						ประเภท:
						
																				ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
					
						ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
						
																				70 อ
					
						สถานะสินค้า:
						
																				เลิกผลิตที่ Digi-Key
					
						ประเภทการติดตั้ง:
						
																				ติดแชสซี
					
						แพ็คเกจ:
						
																				ขนาดใหญ่
					
						ชุด:
						
																				-
					
						กล่อง / กระเป๋า:
						
																				โมดูล
					
						Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
						
																				2.75V @ 15V, 70A
					
						แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
						
																				1600 โวลต์
					
						แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
						
																				โมดูล
					
						Mfr:
						
																				อินฟินไอน เทคโนโลยี
					
						อุณหภูมิการทํางาน:
						
																				150°C (ทีเจ)
					
						ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
						
																				500 µA
					
						ประเภท IGBT:
						
																				สพป
					
						กำลัง - สูงสุด:
						
																				500 วัตต์
					
						หน่วยงาน:
						
																				มาตรฐาน
					
						ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
						
																				5.1nF @ 25 โวลต์
					
						การตั้งค่า:
						
																				เดี่ยว
					
						กทช เทอร์มิสเตอร์:
						
																				ใช่
					
						เลขสินค้าพื้นฐาน:
						
														DDB6U134
					คําแนะนํา
				
						โมดูล IGBT NPT ตัวเดียว 1600 V 70 A 500 W โมดูลการติดตั้งชัสซี่
					                            
                      					
				ส่ง RFQ
				
							สต็อค:
							
							            							    														
						
						
							ขั้นต่ำ:
							
							            							    														
						
					 
     
        

