ส่งข้อความ

APTGF300A120D3G

ผู้ผลิต:
บริษัทไมโครเซมี
คําอธิบาย:
โมดูล IGBT 1200V 420A 2100W D3
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน
รายละเอียด
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
420 ก
สถานะสินค้า:
ปราศการ
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
แพ็คเกจ:
ขนาดใหญ่
ชุด:
-
กล่อง / กระเป๋า:
โมดูล D-3
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
3.7V @ 15V, 300A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
1200 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
D3
Mfr:
บริษัทไมโครเซมี
อุณหภูมิการทํางาน:
-
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
5 มิลลิแอมป์
ประเภท IGBT:
สพป
กำลัง - สูงสุด:
2100 วัตต์
หน่วยงาน:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
19 nF @ 25 โวลต์
การตั้งค่า:
ฮาล์ฟบริดจ์
กทช เทอร์มิสเตอร์:
ไม่
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: