VS-GB70LA60UF
ผู้ผลิต:
Vishay General Semiconductor - ดิโอเดส ดิวิชั่น
คําอธิบาย:
IGBT MOD 600V 111A 447W SOT227
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน
รายละเอียด
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
111 อ
สถานะสินค้า:
ปราศการ
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
แพ็คเกจ:
ขนาดใหญ่
ชุด:
-
กล่อง / กระเป๋า:
SOT-227-4 มินิบล็อก
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
2.44V @ 15V, 70A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
600 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
สทศ-227
Mfr:
Vishay General Semiconductor - ดิโอเดส ดิวิชั่น
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
100 µA
ประเภท IGBT:
สพป
กำลัง - สูงสุด:
447 วัตต์
หน่วยงาน:
มาตรฐาน
อุณหภูมิการทํางาน:
-40°C ~ 150°C (TJ)
การตั้งค่า:
เดี่ยว
กทช เทอร์มิสเตอร์:
ไม่
เลขสินค้าพื้นฐาน:
GB70
คําแนะนํา
โมดูล IGBT NPT ตัวเดียว 600 V 111 A 447 W แชสซี่มอนท์ SOT-227
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: