FS50R06YE3BOMA1
ผู้ผลิต:
อินฟินไอน เทคโนโลยี
คําอธิบาย:
ไอจีบีทีโมดูล 600V 60A 160W
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน
รายละเอียด
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
60 ก
สถานะสินค้า:
ปราศการ
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
แพ็คเกจ:
ตะกร้า
ชุด:
-
กล่อง / กระเป๋า:
โมดูล
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
1.9V @ 15V, 50A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
600 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
โมดูล
Mfr:
อินฟินไอน เทคโนโลยี
อุณหภูมิการทํางาน:
-40 °C ~ 125 °C
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
1 ม
ประเภท IGBT:
-
กำลัง - สูงสุด:
160 ว
หน่วยงาน:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
3.1nF @ 25 โวลต์
การตั้งค่า:
ฟูลบริดจ์อินเวอร์เตอร์
กทช เทอร์มิสเตอร์:
ใช่
เลขสินค้าพื้นฐาน:
FS50R06
คําแนะนํา
โมดูล IGBT อินเวอร์เตอร์สะพานเต็ม 600 V 60 A 160 W โมดูลการติดตั้งชัสซี่
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: