FP35R12KT4BOSA1
ผู้ผลิต:
อินฟินไอน เทคโนโลยี
คําอธิบาย:
IGBT MOD 1200V 35A 210W
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน
รายละเอียด
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
35 ก
สถานะสินค้า:
เลิกผลิตที่ Digi-Key
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
แพ็คเกจ:
ขนาดใหญ่
ชุด:
EconoPIM™ 2
กล่อง / กระเป๋า:
โมดูล
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
2.25V @ 15V, 35A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
1200 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
โมดูล
Mfr:
อินฟินไอน เทคโนโลยี
อุณหภูมิการทํางาน:
-40°C ~ 150°C
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
1 ม
ประเภท IGBT:
สนามเพลาะหยุด
กำลัง - สูงสุด:
210 วัตต์
หน่วยงาน:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
2nF @ 25 โวลต์
การตั้งค่า:
อินเวอร์เตอร์สามเฟส
กทช เทอร์มิสเตอร์:
ใช่
เลขสินค้าพื้นฐาน:
FP35R12
คําแนะนํา
โมดูล IGBT ช่องขวาง สต็อปสนามสามเฟส อินเวอร์เตอร์ 1200 V 35 A 210 W โมดูลการติดตั้งชัสซี่
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: