FF225R65T3E3BPSA1
ผู้ผลิต:
อินฟินไอน เทคโนโลยี
คําอธิบาย:
IHV IHM T XHP 3 3-6 5K AG-XHP3K6
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน
รายละเอียด
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
225 ก
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
แพ็คเกจ:
ตะกร้า
ชุด:
เอ็กซ์เอชพี™3
กล่อง / กระเป๋า:
โมดูล
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
3.4V @ 15V, 225A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
5900 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
AG-XHP3K65
Mfr:
อินฟินไอน เทคโนโลยี
อุณหภูมิการทํางาน:
125°C (ทีเจ)
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
5 มิลลิแอมป์
ประเภท IGBT:
สนามเพลาะหยุด
กำลัง - สูงสุด:
1000000 วัตต์
หน่วยงาน:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
65.6nF @ 25 โวลต์
การตั้งค่า:
2 อิสระ
กทช เทอร์มิสเตอร์:
ไม่
เลขสินค้าพื้นฐาน:
FF225R65
คําแนะนํา
IGBT โมดูล กรัง สต็อปสนาม 2 อิสระ 5900 V 225 A 1000000 W ชาซีมอนท์ AG-XHP3K65
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: