APT80GP60J
ผู้ผลิต:
เทคโนโลยีไมโครชิป
คําอธิบาย:
IGBT MOD 600V 151A 462W ไอโซโทป
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน
รายละเอียด
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
151 อ
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
แพ็คเกจ:
ท่อ
ชุด:
พาวเวอร์ MOS 7®
กล่อง / กระเป๋า:
ไอโซโทป
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
2.7V @ 15V, 80A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
600 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
ไอโซโทป®
Mfr:
เทคโนโลยีไมโครชิป
อุณหภูมิการทํางาน:
-55°C ~ 150°C (TJ)
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
1 ม
ประเภท IGBT:
พี.ที
กำลัง - สูงสุด:
462 วัตต์
หน่วยงาน:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
9.84 nF @ 25 โวลต์
การตั้งค่า:
เดี่ยว
กทช เทอร์มิสเตอร์:
ไม่
เลขสินค้าพื้นฐาน:
APT80GP60
คําแนะนํา
โมดูล IGBT PT Single 600 V 151 A 462 W ชาซิมอนท์ ISOTOP®
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: