FF450R17ME4BOSA1
รายละเอียด
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
600 อ
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
แพ็คเกจ:
ตะกร้า
ชุด:
อีโคโนดูอัล™ 3
กล่อง / กระเป๋า:
โมดูล
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
2.3V @ 15V, 450A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
1700 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
โมดูล
Mfr:
อินฟินไอน เทคโนโลยี
อุณหภูมิการทํางาน:
-40°C ~ 150°C
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
3 มิลลิแอมป์
ประเภท IGBT:
สนามเพลาะหยุด
กำลัง - สูงสุด:
2500 วัตต์
หน่วยงาน:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
36 nF @ 25 โวลต์
การตั้งค่า:
2 อิสระ
กทช เทอร์มิสเตอร์:
ใช่
เลขสินค้าพื้นฐาน:
FF450R17
คําแนะนํา
โมดูล IGBT ช่องปิดสนาม 2 ติดต่ออิสระ 1700 V 600 A 2500 W โมดูลการติดตั้งชัสซี่
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: