FF150R12ME3GBOSA1
ผู้ผลิต:
อินฟินไอน เทคโนโลยี
คําอธิบาย:
IGBT MOD 1200V 200A 695W
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน
รายละเอียด
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
200 ก
สถานะสินค้า:
ไม่ เพื่อ การ ออกแบบ ใหม่
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
แพ็คเกจ:
ตะกร้า
ชุด:
อีโคโนดูอัล™
กล่อง / กระเป๋า:
โมดูล
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
2.15V @ 15V, 150A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
1200 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
โมดูล
Mfr:
อินฟินไอน เทคโนโลยี
อุณหภูมิการทํางาน:
-40 °C ~ 125 °C
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
5 มิลลิแอมป์
ประเภท IGBT:
สนามเพลาะหยุด
กำลัง - สูงสุด:
695 วัตต์
หน่วยงาน:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
10.5 nF @ 25 โวลต์
การตั้งค่า:
ฮาล์ฟบริดจ์
กทช เทอร์มิสเตอร์:
ใช่
เลขสินค้าพื้นฐาน:
FF150R12M
คําแนะนํา
โมดูล IGBT ช่องขวาง สต็อปสนาม สะพานครึ่ง 1200 V 200 A 695 W โมดูลติดชัสซี่
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: