FP50R12W2T7BPSA1
ผู้ผลิต:
อินฟินไอน เทคโนโลยี
คําอธิบาย:
พลังงานต่ำ ง่าย AG-EASY2B-711
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน
รายละเอียด
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
50 อ
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
แพ็คเกจ:
ตะกร้า
ชุด:
อีซี่ PIM™
กล่อง / กระเป๋า:
โมดูล
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
-
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
1200 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
AG-EASY2B
Mfr:
อินฟินไอน เทคโนโลยี
อุณหภูมิการทํางาน:
-40°C ~ 175°C (TJ)
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
8 µA
ประเภท IGBT:
สนามเพลาะหยุด
กำลัง - สูงสุด:
20 เมกะวัตต์
หน่วยงาน:
วงจรเรียงกระแสสะพานสามเฟส
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
11.1 nF @ 25 V
การตั้งค่า:
อินเวอร์เตอร์สามเฟส
กทช เทอร์มิสเตอร์:
ใช่
เลขสินค้าพื้นฐาน:
FP50R12
คําแนะนํา
โมดูล IGBT กรังสนามหยุด Inverter สามเฟส 1200 V 50 A 20 mW แชสซี่ Mount AG-EASY2B
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: