APTGT50DDA120T3G
ผู้ผลิต:
เทคโนโลยีไมโครชิป
คําอธิบาย:
โมดูล IGBT 1200V 75A 270W SP3
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน
รายละเอียด
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
75 ก
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
แพ็คเกจ:
ขนาดใหญ่
ชุด:
-
กล่อง / กระเป๋า:
SP3
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
2.1V @ 15V, 50A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
1200 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
SP3
Mfr:
เทคโนโลยีไมโครชิป
อุณหภูมิการทํางาน:
-40°C ~ 175°C (TJ)
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
250 µA
ประเภท IGBT:
สนามเพลาะหยุด
กำลัง - สูงสุด:
270 วัตต์
หน่วยงาน:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
3.6 nF @ 25 โวลต์
การตั้งค่า:
ชอปเปอร์บูสต์คู่
กทช เทอร์มิสเตอร์:
ใช่
เลขสินค้าพื้นฐาน:
APTGT50
คําแนะนํา
IGBT โมดูล กรัง สต็อปสนาม Dual Boost Chopper 1200 V 75 A 270 W แชสซี่ มอนท์ SP3
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: