APTGF180H60G
ผู้ผลิต:
เทคโนโลยีไมโครชิป
คําอธิบาย:
โมดูล IGBT 600V 220A 833W SP6
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน
รายละเอียด
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
220 ก
สถานะสินค้า:
ปราศการ
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
แพ็คเกจ:
ขนาดใหญ่
ชุด:
-
กล่อง / กระเป๋า:
SP6
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
2.5V @ 15V, 180A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
600 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
SP6
Mfr:
เทคโนโลยีไมโครชิป
อุณหภูมิการทํางาน:
-
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
300 µA
ประเภท IGBT:
สพป
กำลัง - สูงสุด:
833 ว
หน่วยงาน:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
8.6 nF @ 25 โวลต์
การตั้งค่า:
ฟูลบริดจ์อินเวอร์เตอร์
กทช เทอร์มิสเตอร์:
ไม่
คําแนะนํา
โมดูล IGBT NPT Full Bridge Inverter 600 V 220 A 833 W ชาซีมอนท์ SP6
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: