FZ1500R33HL3BPSA1
รายละเอียด
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
1500 ก
สถานะสินค้า:
ไม่ เพื่อ การ ออกแบบ ใหม่
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
แพ็คเกจ:
ตะกร้า
ชุด:
-
กล่อง / กระเป๋า:
โมดูล
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
2.85V @ 15V, 1500A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
3300 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
โมดูล
Mfr:
อินฟินไอน เทคโนโลยี
อุณหภูมิการทํางาน:
-40°C ~ 150°C
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
5 มิลลิแอมป์
ประเภท IGBT:
สนามเพลาะหยุด
กำลัง - สูงสุด:
17000 วัตต์
หน่วยงาน:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
6 nF @ 25 โวลต์
การตั้งค่า:
สะพานเต็ม
กทช เทอร์มิสเตอร์:
ไม่
เลขสินค้าพื้นฐาน:
FZ1500
คําแนะนํา
โมดูล IGBT ช่องขวาง สต็อปสนาม สะพานเต็ม 3300 V 1500 A 17000 W โมดูลการติดตั้งชัสซี่
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: