DDB6U180N16RRB11BPSA1
ผู้ผลิต:
อินฟินไอน เทคโนโลยี
คําอธิบาย:
IGBT MOD 1200V 140A 515W
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน
รายละเอียด
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
140 ก
สถานะสินค้า:
เลิกผลิตที่ Digi-Key
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
แพ็คเกจ:
ขนาดใหญ่
ชุด:
อีโคโนแพ็ค™ 2
กล่อง / กระเป๋า:
โมดูล
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
2.2V @ 15V, 100A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
1200 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
โมดูล
Mfr:
อินฟินไอน เทคโนโลยี
อุณหภูมิการทํางาน:
-40°C ~ 150°C
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
1 ม
ประเภท IGBT:
สนามเพลาะหยุด
กำลัง - สูงสุด:
515 วัตต์
หน่วยงาน:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
6.3 nF @ 25 โวลต์
การตั้งค่า:
3 อิสระ
กทช เทอร์มิสเตอร์:
ไม่
เลขสินค้าพื้นฐาน:
DDB6U180
คําแนะนํา
IGBT โมดูล กรัง สต็อปสนาม 3 Independent 1200 V 140 A 515 W Chassis Mount Module
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: