FZ3600R12HP4PHPSA1
ผู้ผลิต:
อินฟินไอน เทคโนโลยี
คําอธิบาย:
IGBT MOD 1200V 4930A AGIHMB190-2
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน
รายละเอียด
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
4930 อ
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
แพ็คเกจ:
ตะกร้า
ชุด:
ไอเอชเอ็ม-บี
กล่อง / กระเป๋า:
โมดูล
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
2.05V @ 15V, 3.6kA
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
1200 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
AG-IHMB190-2
Mfr:
อินฟินไอน เทคโนโลยี
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
5 มิลลิแอมป์
ประเภท IGBT:
ร่องลึก
กำลัง - สูงสุด:
19000 วัตต์
หน่วยงาน:
มาตรฐาน
อุณหภูมิการทํางาน:
-40°C ~ 150°C
การตั้งค่า:
สวิตช์เดี่ยว
กทช เทอร์มิสเตอร์:
ไม่
เลขสินค้าพื้นฐาน:
FZ3600
คําแนะนํา
โมดูล IGBT กรังสวิทช์เดียว 1200 V 4930 A 19000 W ชาซิมอนท์ AG-IHMB190-2
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: