FD1000R33HE3KBPSA1
ผู้ผลิต:
อินฟินไอน เทคโนโลยี
คําอธิบาย:
โมดูล IGBT 3300V 1000A
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน
รายละเอียด
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
1,000 ก
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
แพ็คเกจ:
ตะกร้า
ชุด:
ไอเอชเอ็ม-บี
กล่อง / กระเป๋า:
โมดูล
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
3.1V@15V,1000A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
3300 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
โมดูล
Mfr:
อินฟินไอน เทคโนโลยี
อุณหภูมิการทํางาน:
-40°C ~ 150°C
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
5 มิลลิแอมป์
ประเภท IGBT:
สนามเพลาะหยุด
กำลัง - สูงสุด:
11500 วัตต์
หน่วยงาน:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
190nF @ 25 โวลต์
การตั้งค่า:
ชอปเปอร์เบรกคู่
กทช เทอร์มิสเตอร์:
ไม่
เลขสินค้าพื้นฐาน:
FD1000
คําแนะนํา
โมดูล IGBT ช่องแหล่งหยุด เบรคคู่ โฮปเปอร์ 3300 V 1000 A 11500 W โมดูลการติดตั้งชัสซี่
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: